> 首頁 > 產品信息 > 絕緣柵雙極型晶體管IGBT
由BJT(雙極型晶體管)和MOS(場效應晶體管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。兼有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩方面的優點。
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